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华润华晶CS45N06A4

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    描述

CS45N06A4是硅N沟道增强型VDMOSFET,通过高密度沟槽技术获得,可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该设备适合用作负载开关和PWM应用。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。



特点

快速切换

低导通电阻(Rdson≤16米Ω)

低栅极电荷

低反向转移电容

100%单脉冲雪崩能量测试



应用

适配器和充电器的电源开关电路

LED背光驱动器

同步校正

 
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