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华润华晶CS2N60A3HY

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    描述

CS2N60A3HY,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-251,符合RoHS标准。



特征

快速切换

低导通电阻(Rdson≤4.5Ω)

低栅极电荷(典型数据:8.5nC)

低反向转移电容(典型值:5.4pF)

100%单脉冲雪崩能量测试



应用

适配器和充电器的电源开关电路。

 
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